MOSFET，中文被称作“金属氧化物半导体场效应管”，是类似于BJT（双极性晶体管）的一种常见晶体管。MOSFET和BJT类似，也有两种类型，N通道和P通道。也有三个极Gate/Source/Drain(类比于BJT的Base/Emitter/Collector)。所不同的是，MOSFET是电压控制元件，而BJT是电流控制元件。通常，因为 MOSFET在导通时的电阻低，而截止时的电阻近乎无限大，所以适合作为模拟信号的开关（信号的能量不会因为开关的电阻而损失太多），所以我们常会在电路中将MOSFET当做开关使用。因Enhancement增强型MOSFET比Deletion耗尽型MOSFET更常见，本篇笔记将以增强型MOSFET为例介绍如何根据规格书选择合适的MOSFET。
对N通道MOSFET而言，当一个正向电压加在Gate和Source之间时（Gate比Source电压高），该N通道MOSFET被导通，开关处于ON状态，Drain和Source有电流通过，Drain和Source之间的电阻表示为RDS(ON)。DS压差越大， RDS(ON) 越小。类似的，想要把P通道MOSFET的Drain和Source导通，需要在Gate和Source之间加一个反向电压（Gate比Source电压低）。为了使Drain和Source导通，Gate与Source之间的电压差，表记为VGS(threshold)。显然，对于N通道MOSFET， VGS(threshold) 大于零。对于 P通道MOSFET， VGS(threshold) 小于零 。
对MOSFET而言，想要导通MOSFET，Gate和Source之间的电压差VGS 的绝对值不能太小，否则无法导通。也不能太大，否则会损坏MOSFET。应当使VGS的值超过规格书上 VGS(threshold) 的最大值，才能保证MOSFET被正确导通。
尤其需要注意的是，MOSFET的Gate性质属于高阻抗，所以必须保持Gate上有输入，不能悬空Gate极。如果Gate被悬空，我们无法得知VGS的值，也就无法判断MOSFET的工作状态，很可能会对系统电路造成损害。
当Source和Drain之间电压差为零，开关断开，电流停止从Drain流向Source时，Drain上仍有一小部分的漏电流，表记为IDSS。
N通道还是P通道？
如果MOSFET连接到地而负载连接到电源轨，我们需要一个低边开关（Low-side switch）。低边开关我们使用N通道MOSFET，Source连接到地，Gate极连接到控制信号，Drain连接到负载电路。通过控制Gate极的电压（高→电路闭合；低→电路打开），我们可以控制电路的通断。
如果MOSFET连接到电源而负载接在地，我们需要一个高边开关（High-side switch）。高边开关我们使用P通道MOSFET，Source连到电源，Drain连到负载。通过控制 Gate极的电压（低→电路闭合；高→电路打开），我们可以控制电路的通断。
额定电压与电流
显然MOSFET的额定电压必须要比电路的工作电压高。Drain到Source的电压VDS会随温度变化。有的电路会产生尖峰电压，我们选取的MOSFET的参数也要能承受这个尖峰电压。
MOSFET的额定电流也要比负载工作时的最大电流要大，否则会损坏MOSFET。类似于尖峰电压，有的电路也会产生尖峰电流。MOSFET里的Id_continus或者Id ON_state表征的是持续状态下MOSFET能够通过的最大电流，Id_peak表征的是MOSFET能通过的最大尖峰电流。